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GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法

2023-08-23
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測試方法 這是一個關(guān)于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了使用四探針法測量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測試方法。 在四探針法中,使用四個探針按照直線排列,分別與材料接觸,然后通過電源向材料施加一定的電流,同時測量材料兩端的電壓。根據(jù)歐姆定律,可以計算出材料的電阻率。
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GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法

2023-08-23
GB/T 14141-2009標(biāo)準(zhǔn)提供了使用直排四探針法測定硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法,對于評估半導(dǎo)體器件和材料的電性能具有重要意義。 直排四探針法是一種常用的測試方法,用于測量半導(dǎo)體材料的電阻率。該方法使用四個探針按照直線排列,直接接觸材料的表面進行測試。 直排四探針法的優(yōu)點包括: 測試速度快,適合于批量測試。 對樣品的要求較低,不需要進行特殊處理。 測量結(jié)果受樣品形狀和尺寸的影響較小。 直排四探針法的測試原理是基于歐姆定律,通過測量探針之間的電壓和電流來計算材料的電阻率
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GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法

2023-08-23
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測量方法 GB/T 11073-2007是關(guān)于硅片徑向電阻率變化的測量方法的標(biāo)準(zhǔn)。它適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15mm、電阻率為1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。 硅片的徑向電阻率是指硅片沿徑向方向的電阻率。在標(biāo)準(zhǔn)的測試方法中,硅片的徑向電阻率是通過測量硅片在不同位置的電阻值,然后計算出平均電阻率來實現(xiàn)的。
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GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法

2023-08-23
GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法 規(guī)定了使用非接觸渦流法測試半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片和硅薄膜的電阻率測試。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn),測試系統(tǒng)應(yīng)包括測試裝置、探頭、信號發(fā)生器、測量儀器和試樣臺等部分。測試時,將硅片或硅薄膜放在試樣臺上,將探頭放置在試樣上方,并調(diào)整探頭與試樣的距離。然后,通過信號發(fā)生器向探頭發(fā)送激勵信號,探頭產(chǎn)生渦流磁場,該磁場在試樣上產(chǎn)生感應(yīng)電流。同時,測量儀器測量試樣的電阻值。
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GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

2023-08-23
GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法 規(guī)定了用擴展電阻探針法測定硅片的電阻率的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片的電阻率測試。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn),測試設(shè)備應(yīng)包括探針、放大器、信號發(fā)生器、示波器、電源和測試夾具等。測試時,將硅片放在測試夾具上,將探針與硅片接觸并將探針固定在測試夾具上。然后,通過信號發(fā)生器和放大器在硅片上施加一個小的交流電壓,同時觀察示波器上的讀數(shù)。通過這些讀數(shù),可以計算出硅片的電阻率
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GB/T 26074-2010鍺單晶電阻率直流四探針測量方法

2023-08-23
GB/T 26074-2010鍺單晶電阻率直流四探針測量方法 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量鍺單晶的體電阻率以及直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍的鍺單晶圓片的電阻率。
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GB/T 32993-2016碳纖維體積電阻率的測定

2023-08-23
GB/T 32993-2016碳纖維體積電阻率的測定 規(guī)定了碳纖維體積電阻率的測定方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于碳纖維絲束、碳纖維紗線等。 根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn),碳纖維體積電阻率的測定可以采用方法A(單絲法)和方法B(紗束法)。其中,方法A是指將碳纖維單絲置于電極之間,通過測量單絲的電阻值來計算體積電阻率;方法B是指將碳纖維紗線置于電極之間,通過測量紗線的電阻值來計算體積電阻率。
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GB/T 34520.6-2017連續(xù)碳化硅纖維測試方法 第6部分:電阻率

2023-08-23
GB/T 34520.6-2017連續(xù)碳化硅纖維測試方法 第6部分:電阻率 GB/T 34520.6-2017是連續(xù)碳化硅纖維測試方法的標(biāo)準(zhǔn),其中的第6部分是關(guān)于電阻率的測定。 按照該標(biāo)準(zhǔn),可以采用以下步驟來測定連續(xù)碳化硅纖維的電阻率: 準(zhǔn)備試樣:從連續(xù)碳化硅纖維中獲取具有一定長度的試樣。 處理試樣:對試樣進行必要的處理,如清洗、干燥等,以消除表面影響。 測量電阻率:使用高精度測量儀器,測量試樣的電阻率。
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GB/T 24525-2009炭素材料電阻率測定方法

2023-08-23
GB/T 24525-2009炭素材料電阻率測定方法 GB/T 24525-2009是炭素材料電阻率測定方法的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于測定炭素材料(如炭素制品、石墨電極、炭纖維復(fù)合材料等)的電阻率。 按照該標(biāo)準(zhǔn),可以采用以下步驟來測定炭素材料的電阻率: 準(zhǔn)備試樣:從炭素材料中獲取具有一定尺寸和形狀的試樣。
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GB/T 24521-2018炭素原料和焦炭電阻率測定方法

2023-08-23
GB/T 24521-2018炭素原料和焦炭電阻率測定方法 GB/T 24521-2018規(guī)定了炭素原料和焦炭電阻率的測定方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于測定炭素原料和焦炭的電阻率。 按照該標(biāo)準(zhǔn),可以采用以下步驟來測定炭素原料和焦炭的電阻率: 準(zhǔn)備試樣:從炭素原料或焦炭中獲取具有一定尺寸和形狀的試樣。 測量電壓和電流:使用高精度測量儀器,測量試樣兩端的電壓和通過試樣的電流。 計算電阻率:根據(jù)測得的電壓和電流值,按照電阻率的計算公式,計算出試樣的電阻率。 需要注意的是,炭素原料和焦炭的電阻率受到多種因素的影響,如試樣的尺寸、形狀、純度、微觀結(jié)構(gòu)等。因此,在測試過程中,應(yīng)盡量減少誤差,保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。同時,測試人員應(yīng)采取適當(dāng)?shù)陌?全防護措施,以防*止測試過程中出現(xiàn)問題。
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